Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров
Презентация: Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров.В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо- или гете-ропереходом; излучательная рекомбинация инжектированных носителей в активной области структуры. Явление инжекции неосновных носителей служит основным механизмом введения неравновесных носителей в активную область структуры светоизлучающих диодов . Когда в полупроводнике создается р—n-переход, то носители в его окрестностях распределяются таким образом, чтобы выровнять уровень Ферми.
Мова:
russian
Файл:
PPTX, 2.49 MB
IPFS:
,
russian0
Litres
Чи бажаєте додати книгарню? Зв'яжіться з нами за support@z-lib.do
Конвертуйте файли
Більше результатів пошуку
Інші переваги 
![Петропавловский В. М. — Учебное пособие по дисциплине «Фемтосекундная оптика и фемтотехнологии». [Ч. 1]](https://s3proxy.cdn-zlib.se/covers200/collections/genesis/7abac84ccb1b681dcff97593f7cba9c4756029d037c1c0f1156c2ebc50d7aef8.jpg)
